Κωδικός : IPB080N03LGATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 18nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 15V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 47W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D²PAK (TO-263AB)
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Κατάσταση : Νέες και αρχική
Εγγύηση ποιότητας : 365 ημέρες εγγύηση
Χρηματιστήριο πόρων : Δικαιόχρησης Διανομέας / Κατασκευαστής Άμεση
Χώρα προέλευσης : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI