Κωδικός : SISS28DN-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212
Σειρά : TrenchFET® Gen IV
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 25V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.52 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 35nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 3640pF @ 10V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 57W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® 1212-8S
Κατάσταση : Νέες και αρχική
Εγγύηση ποιότητας : 365 ημέρες εγγύηση
Χρηματιστήριο πόρων : Δικαιόχρησης Διανομέας / Κατασκευαστής Άμεση
Χώρα προέλευσης : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI